设备简介：
ICP-601型感应耦合等离子体刻蚀机为我司针对大学、研究院所、企业研发机构等用户的科研及教学需求定点开发的刻蚀设备;
设备最大可支持 φ6英寸样片的感应耦合等离子体刻蚀，可用于但不限于刻蚀单晶硅、非晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、TaN、Ta、Ti、W、Mo、聚合物等薄膜材料。
根据待刻蚀样品材料特性，用户可选择合适的工艺气体进行刻蚀。
上述材料多选用含氟元素，常规使用SF6、CHF3、CF4、C4F8、O2、Ar等气体刻蚀，客户可依照需求选择使用的气体。
主要指标：
★样片数量及尺寸：1片Ф6英寸
★刻蚀材料：包括并不限于单晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、Ti、W、聚合物等
★刻蚀腔体：高真空系统
★刻蚀不均匀性：±3%-±6%
★刻蚀速率：0.1-4μm/min（视具体材料与工艺）
★工作台：可升降，包含水冷
★电源配置：上电射频，下电偏压，包含自动匹配
★气路数量与种类：6路耐氟基腐蚀气路 或 用户选配
★深硅刻蚀系统：可选配
★He冷背吹系统：可选配
★终点检测控制：可选配质谱仪
★操作模式：全自动+半自动控
客服1