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ICP-601型感应耦合等离子体刻蚀机
ICP-601型感应耦合等离子体刻蚀机

ICP-601型感应耦合等离子体刻蚀机

ICP-601型感应耦合等离子体刻蚀机可用于刻蚀单晶硅、非晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、TaN、Ta、Ti、W、Mo、聚合物等薄膜材料。

设备简介:

ICP-601型感应耦合等离子体刻蚀机为我司针对大学、研究院所、企业研发机构等用户的科研及教学需求定点开发的刻蚀设备;

设备最大可支持 φ6英寸样片的感应耦合等离子体刻蚀,可用于但不限于刻蚀单晶硅、非晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、TaN、Ta、Ti、W、Mo、聚合物等薄膜材料。

根据待刻蚀样品材料特性,用户可选择合适的工艺气体进行刻蚀。

上述材料多选用含氟元素,常规使用SF6、CHF3、CF4、C4F8、O2、Ar等气体刻蚀,客户可依照需求选择使用的气体。


主要指标:

★样片数量及尺寸:1片Ф6英寸

★刻蚀材料:包括并不限于单晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、Ti、W、聚合物等

★刻蚀腔体:高真空系统

★刻蚀不均匀性:±3%-±6%

★刻蚀速率:0.1-4μm/min(视具体材料与工艺)

★工作台:可升降,包含水冷

★电源配置:上电射频,下电偏压,包含自动匹配

★气路数量与种类:6路耐氟基腐蚀气路 或 用户选配

★深硅刻蚀系统:可选配

★He冷背吹系统:可选配

★终点检测控制:可选配质谱仪

★操作模式:全自动+半自动控


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