设备简介：
该设备采用电感耦合放电形式，将通入刻蚀室的工艺气体分子解离，产生等离子体。
一方面由等离子体中的部分活性基团与被刻蚀材料表面发生化学反应，另一方面由于射频偏压作用，
等离子体中的正离子对被刻蚀材料表面进行物理轰击，从而以物理化学相结合的方法达到材料表面刻蚀的目的。
可刻蚀材料：设备通过氟基刻蚀气体、氧刻蚀气体，主要用于刻蚀SiC、光刻胶材料等；也可以通入氟基刻蚀气体刻蚀其他常规材料，如Si、SiOx、SiNx、聚合物、SiC等。
主要指标
真空室数量： 单室，铝合金方型卧式结构，双侧开门形式
极限真空： 优于3.0×10-4Pa（环境湿度≤55%，系统经烘烤除气）
系统漏率： 优于5×10-7Pa·L/s。
升压率： 停泵关机12小时后真空度小于6.7Pa
抽气速率： 腔体洁净，在短暂开腔后，由大气抽至5×10-3 Pa时间小于20分钟，
由大气抽至9.0×10-4 Pa时间小于45分钟。
刻蚀材料： SiC、光刻胶、Si、SiOx、SiNx、聚合物等。
真空室规格： 600mm×600mm×300mm
射频阴极尺寸： Φ500mm
气路： 4台MFC控制4路气体单独进气。1/4英寸316不锈钢管道，双卡套密封。
主要刻蚀气体配置： O2、Ar、SF6、CF4四路气体单独进气。
最小刻蚀线条： 可刻蚀线条宽度<500nm的图形
刻蚀不均匀性： ≤±5%（Φ400mm范围内）
样品尺寸及数量： Φ400mm样片1片/炉
样品台尺寸： Φ500mm圆形
客服1