PECVD-601 化学气相沉积系统

主要原理与功能

设备利用平板电容式辉光放电原理，将通入沉积室的工艺气体解离并产生等离子体，被解离的基团在等离子体中重新发生化学反应，在具有一定温度的基片上沉积形成薄膜。

主要用途与特点

设备适用于大学、研究院所、企业研发机构通用的PECVD薄膜沉积科研与教学。

设备沉积材料广泛，包括并不限于：硅基（Si）薄膜：非晶硅（a-Si）、多晶硅（poly-Si）、氧化硅（SiOx）、氮化硅（SixNy）等。

可自动在线调节沉积距离，适合不同工艺特性。

主要技术指标

腔体尺寸：                           Φ350mm×H300mm，真空不锈钢制作，上盖自动开闭。

极限真空度：                        ≤9×10-5Pa；

系统漏率：                            5×10-7Pa.l/s；

静态升压：                            系统停泵关机后12小时后，真空度≤5Pa;

                                              系统充干燥N2解除真空，短时暴露大气后抽气抽至5×10-3Pa时间小于15min，至9×10-4Pa≤30min

射频阴极尺寸：                     Φ150mm。（最大样品尺寸）

薄膜不均匀性：                     ≤±5%（Φ6英寸）

主要工艺气体配置：              视具体镀膜工艺而定

电源配置：                            射频13.56MHz，1000W，自动匹配

工艺气路：                            6路

沉积距离自动调节范围：      20mm-60mm，调节精度：1mm

工作台加热温度：                 400℃。PID自动测温、控温，多段控温模式，控温精度±1%。

控制方式：                           基于PLC及工控机的全自动、半自动控制方式。

                                             包含安全报警系统