PECVD-800 全自动等离子体化学气相沉积台
该设备主要用来淀积SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅、类金刚石等多种薄膜材料； 应用于微电子、光电子、通讯、微机械等领域的器件研发和制造，以及能源材料、机械材料，各种无机材料及高分子材料的薄膜制备和表面改性。
设备简介：
该设备主要用来淀积SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅、类金刚石等多种薄膜材料；
应用于微电子、光电子、通讯、微机械等领域的器件研发和制造，以及能源材料、机械材料，各种无机材料及高分子材料的薄膜制备和表面改性。
设备主要参数：
淀积室数量 | 单室 |
淀积室规格 | ø400×150mm |
样片台尺寸 | ø290mm（热均匀区ø220mm） |
加热温度 | ≤ 300℃ |
淀积材料 | SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅、类金刚石等 |
淀积速率 | 200 - 300 Å/min （与淀积材料和工艺有关） |
淀积不均匀性 | ≤ ±5% |
自动化程度 | 真空系统、下游压力闭环控制、射频电源、气体流量、工艺过程全自动化控制。 |
人机界面 | Windows环境、触摸屏操作 |
操作方式 | 全自动方式、非全自动方式 |
自动化装置 | 可选择进口件或国产件 |
客服1