设备概述:
本设备为单室高真空系统,它主要由真空系统、气路系统、电气系统、射频及直流电源系统、冷却系统、报警系统等组成;
可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等;
该设备可选配三个以及多个靶头,射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜,直流电源用于导电性材料的溅射镀膜。
设备特点
可制备多种薄膜,应用广泛;
体积小,操作简便;
整机模块化设计,真空腔室、真空泵组、控制电源分体式设计,可根据用户实际需要调整;
可根据用户实际需要选择电源,可以一个电源控制多个靶枪,也可多个电源单一控制靶枪。
设备主要技术参数
靶材数量 | 1-4可选 |
靶材规格 | 50mm、80mm、100mm 、150mm |
样品台 | 可旋转、可定位、转速连续可选 |
载片量 | 2英寸12片、3英寸8片;4英寸6片;散片若干 |
溅射不均匀性 | ≤±5% |
溅射方式 | 定靶溅射,旋转溅射 |
溅射形式 | 多靶系列可实现单一靶溅射,复合靶材溅射,两种材料交替溅射。 |