高真空三靶磁控溅射仪

设备概述：

高真空磁控溅射仪是新自主研制开发的镀膜设备，可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、

氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。

该设备配备三个靶头，射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜，直流电源用于导电性材料的溅射镀膜。

设备特点：

可制备多种薄膜，应用广泛；

体积小，操作简便；

整机模块化设计，真空腔室、真空泵组、控制电源分体式设计，可根据用户实际需要调整；

可根据用户实际需要选择电源，可以一个电源控制多个靶枪，也可多个电源单一控制靶枪。

设备参数：

电源电压                          220V  50Hz

总功率                             ＜3.5KW

腔体内径                          Ø400mm

极限真空                          3.0x10-5Pa

基片台工作温度               RT-600℃，精度±1℃（含水冷功能）

靶枪数量                         3个

靶枪冷却方式                  水冷

靶材尺寸                         Ø2″，厚度0.1mm-5mm（因靶材材质不同厚度有所不同）

直流溅射功率                  500W（可选）

射频溅射功率                  300W（可选）

载样台                             Ø170mm

载样台转速                     1rpm-20rpm内可调

保护气体                         Ar、N2等惰性气体

进气气路                        质量流量计控制3路进气，2个流量为100 SCCM，1个流量为200 SCCM