1. 引言
在真空镀膜过程中,基片温度是决定薄膜微观结构和宏观性能的核心工艺参数之一。例如,在光学薄膜沉积中,温度影响薄膜的折射率和散射损耗;在工具涂层中,温度决定了涂层的附着强度和耐磨性。传统的镀膜机通常采用简单的温控仪表配合接触式加热器,控温方式粗放,导致不同批次产品性能波动大,成品率低。
随着对薄膜质量要求的不断提高,对温控系统的精确性、稳定性和重复性提出了严峻挑战。因此,对现有真空镀膜机的温控系统进行技术改造,已成为提升设备性能与产品竞争力的关键途径。
2. 传统温控系统存在的问题分析
通过对老旧设备的调研,其温控系统主要存在以下瓶颈:
加热均匀性差:单一加热区或简单的加热布局,导致腔体内温度场分布不均,基片不同位置温差可能超过20℃,严重影响膜厚均匀性。
控制算法落后:传统PID控制器参数固定,难以应对真空环境下热传导方式变化(对流消失,以辐射和传导为主)、热容大、滞后严重等复杂工况,易出现超调或振荡。
测温精度与响应速度不足:使用的热电偶老化或安装位置不合理,无法准确反映基片表面的真实温度。
自动化程度低:无法执行复杂的升温-保温-降温工艺曲线,依赖人工经验,重复性差。
3. 温控系统改造的关键技术方案
3.1 硬件系统升级
加热方式改进:
多区独立控温:将加热器划分为多个独立控制的区域,通过调节各区的功率输出,补偿腔体边缘的热损失,从而实现整个加热平面的均匀温场。
新型加热元件:采用红外石英加热管或钼片加热器,其热响应速度快,热辐射效率高,尤其适合高真空环境。
感应加热:对于需要局部高温或快速加热的工艺,可采用高频感应加热方式,实现对坩埚或特定部件的非接触式高效加热。
测温系统优化:
接触式测温:选用精度更高的K型或S型热电偶,并将其安装在更接近热负载(基片架)的位置。采用多点测温,为多区控温提供反馈。
非接触式测温:引入红外测温仪,直接测量基片表面温度,避免了因接触热阻带来的测量误差,响应速度极快。缺点是易受视窗污染和发射率变化的影响。
3.2 控制策略的智能化升级
这是改造的核心,旨在提升系统的动态性能和稳态精度。
先进PID控制:
模糊PID控制:将模糊逻辑与PID结合。利用模糊规则在线整定PID参数(Kp, Ki, Kd)。在升温阶段,采用较大的Kp以加快响应;在接近设定温度时,自动减小Kp并增强积分作用以消除静差。此法能有效抑制超调,适应对象特性的变化。
自适应PID控制:控制系统能够自动识别被控对象的动态特性(如通过阶跃响应),并据此调整PID参数,对长期运行中系统特性缓慢变化的场合尤为有效。
控制系统架构实现:
将先进的控温算法集成于PLC或专用的智能温控模块中。PLC负责接收各路温度信号,执行控制算法,并输出控制量给固态继电器或调功器,从而精确调节加热功率。

4. 系统集成与效果评估
4.1 系统集成
成功的改造不仅是更换硬件,更是系统的深度融合:
通信集成:智能温控器或PLC温控模块通过PROFIBUS-DP或PROFINET总线与上位机通信。
软件集成:在上位机监控软件中开发温控专用界面,实现温度曲线的设定、存储、调用与实时监控。将温度参数作为整个镀膜工艺配方的一部分,实现全自动联动控制。
4.2 改造效果
根据文献报道与实际案例,改造后可实现以下效益:
控温精度:稳态控制精度可从改造前的±5℃提升至±1℃甚至更高。
温度均匀性:腔体内有效工作区的温度均匀性可控制在±3℃以内。
工艺重复性:自动化执行复杂的工艺曲线,消除了人为因素,批间重复性极大提高。
能耗降低:精确的功率控制避免了能源的浪费。
5. 结论与展望
对真空镀膜机温度控制系统进行技术改造,是挖掘设备潜力、提升产品档次的必由之路。通过硬件升级(多区加热、精确测温) 与软件优化(智能控制算法) 相结合,并最终集成于分布式控制系统,能够构建一个响应快、精度高、适应性强的现代化温控子系统。
未来,随着预测控制、神经网络等更先进算法的引入,以及数字孪生技术在镀膜工艺中的深度应用,温控系统将朝着更高程度的智能化、预测化和自适应化方向发展,为实现“精确制造”奠定坚实基础。

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