近日，深圳微仪真空技术有限公司宣布与国内碳化硅衬底领域的领军企业“晶焱科技”达成战略合作。根据协议，微仪真空将为其新一代碳化硅功率器件研发产线，提供多台用于金属电极沉积的高真空磁控溅射镀膜系统。此次合作标志着国产高端镀膜装备在半导体前沿领域的应用验证取得重大突破，为打破该领域长期依赖进口设备的局面迈出了关键一步。
攻克“高温”与“均匀性”挑战，满足尖端工艺需求
碳化硅作为第三代半导体核心材料，其器件制备对镀膜工艺提出了极为苛刻的要求。尤其是用于沉积欧姆接触和肖特基势垒的金属电极层，需要在高温环境下进行，并实现原子级平整度和极佳的膜厚均匀性，任何微小的缺陷都会直接影响器件的导电性能和可靠性。
微仪真空为此项目定制的溅射系统，集成了多项核心技术：
高温基片加热台：可在500°C以上稳定工作，满足碳化硅工艺的温度窗口。
精准等离子体控制技术：确保在大尺寸碳化硅晶圆上实现纳米级精度的膜厚控制。
超洁净真空获得与维持系统：将腔体内本底真空提升至更高标准，彻底消除杂质污染风险，保障薄膜的超高纯度。
从“可用”到“好用”，共建国产化生态
“在半导体领域，设备不仅要‘做得出来’，更要‘用得顺手’，并且能无缝接入现有产线，实现稳定的量产。”微仪真空半导体事业部负责人表示，“此次与晶焱科技的深度合作，是一个绝佳的‘应用样板间’。我们将派驻顶尖的工艺工程师团队，与客户一同进行工艺调试与优化，共同打磨设备，确保其性能完全满足甚至超越研发与中试的需求。”
业内专家认为，此类产业链上下游的紧密合作，是提升国产装备核心竞争力的最有效路径。微仪真空通过与行业龙头客户的联合攻关，不仅能快速迭代产品，更能积累宝贵的应用数据与经验，反哺研发，从而构建起坚实的技术护城河，为更多半导体制造企业提供可信赖的国产装备选择。
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